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      電滲析設(shè)備制備硅溶膠過(guò)程中陽(yáng)離子膜濃差極化
      
 
      時(shí)間：2014-06-14　作者：admin　點(diǎn)擊：446次
      
 
       首先給出了陽(yáng)離子交換膜濃差極化物理模型,然后利用該模型分析了電滲析設(shè)備制備硅溶膠過(guò)程中Um-J曲線的特性,闡明了利用Um-J曲線確定濃差極化電流密度的理論依據(jù),闡述了Um-J曲線上兩個(gè)拐點(diǎn)的理化本質(zhì),其中的拐點(diǎn)2所對(duì)應(yīng)的電流密度是在該實(shí)驗(yàn)條件下(XSio2=4%,θ=50℃,cNa+=0.118 9 mol·L-1)的極限電流密度,并根據(jù)Jlim和cNa+的關(guān)系,計(jì)算出電滲析設(shè)備制備硅溶膠過(guò)程中的膜邊界層厚度δ為7.68×10-6m,同時(shí)得出了電滲析設(shè)備應(yīng)在極限電流密度下運(yùn)行這一結(jié)論.
      
 
      
 
      
 
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